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半導体装置、半導体装置の製造方法及び電子装置[ja]
被引:0
申请号
:
JP20190080975
申请日
:
2019-04-22
公开(公告)号
:
JP7231826B2
公开(公告)日
:
2023-03-02
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/338
IPC分类号
:
H01L21/205
H01L21/336
H01L29/778
H01L29/78
H01L29/812
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体装置、半導体装置の製造方法及び電子装置[ja]
[P].
日本专利
:JP5834907B2
,2015-12-24
[2]
半導体装置、電子装置、及び半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6175994B2
,2017-08-09
[3]
半導体装置、電子装置、及び半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5827393B2
,2015-12-02
[4]
半導体装置、半導体装置の製造方法及び電子装置[ja]
[P].
日本专利
:JP7239808B2
,2023-03-15
[5]
半導体装置、電子装置、及び半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6389941B2
,2018-09-12
[6]
半導体装置、半導体装置の製造方法及び電子装置[ja]
[P].
日本专利
:JP2025163354A
,2025-10-29
[7]
半導体装置、半導体装置の製造方法及び電子装置[ja]
[P].
日本专利
:JP7352073B2
,2023-09-28
[8]
半導体装置、半導体装置の製造方法及び電子装置[ja]
[P].
KURAHASHI NAOKO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
FUJITSU LTD
FUJITSU LTD
KURAHASHI NAOKO
.
日本专利
:JP2024175739A
,2024-12-19
[9]
半導体装置、半導体装置の製造方法及び電子装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6712051B2
,2020-06-17
[10]
半導体装置、半導体装置の製造方法及び電子装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6810350B2
,2021-01-06
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