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半導体基板のエッジ研磨用組成物及びそれを用いた半導体基板のエッジ研磨方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20120539768
申请日
:
2011-10-20
公开(公告)号
:
JPWO2012053616A1
公开(公告)日
:
2014-02-24
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/304
IPC分类号
:
B24B37/00
C09K3/14
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
基板のエッジ研磨用組成物及びそれを用いた基板のエッジ研磨方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012141145A1
,2014-07-28
[2]
研磨用組成物およびそれを用いた半導体基板の研磨方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012063757A1
,2014-05-12
[3]
半導体基板用研磨液及び半導体基板の研磨方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010122985A1
,2012-10-25
[4]
化合物半導体基板研磨用の研磨液、及び、化合物半導体基板の研磨方法[ja]
[P].
SAKAI AYUMI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
DISCO ABRASIVE SYSTEMS LTD
DISCO ABRASIVE SYSTEMS LTD
SAKAI AYUMI
.
日本专利
:JP2023166263A
,2023-11-21
[5]
化合物半導体基板研磨用の研磨液[ja]
[P].
SAKAI AYUMI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
DISCO ABRASIVE SYST LTD
DISCO ABRASIVE SYST LTD
SAKAI AYUMI
;
KOJIMA KATSUYOSHI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
DISCO ABRASIVE SYST LTD
DISCO ABRASIVE SYST LTD
KOJIMA KATSUYOSHI
.
日本专利
:JP2024037247A
,2024-03-19
[6]
研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法、研磨方法、半導体基板の製造方法[ja]
[P].
MAE RYOTA
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
FUJIMI INC
FUJIMI INC
MAE RYOTA
.
日本专利
:JP2024048924A
,2024-04-09
[7]
研磨用組成物、及び当該研磨用組成物を用いた化合物半導体基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6042407B2
,2016-12-14
[8]
研磨用組成物、及び当該研磨用組成物を用いた化合物半導体基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013133198A1
,2015-07-30
[9]
研磨用組成物、研磨方法、および半導体基板の製造方法[ja]
[P].
MAE RYOTA
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
FUJIMI INC
FUJIMI INC
MAE RYOTA
.
日本专利
:JP2025042789A
,2025-03-28
[10]
研磨用組成物、研磨方法および半導体基板の製造方法[ja]
[P].
MAE RYOTA
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
FUJIMI INC
FUJIMI INC
MAE RYOTA
.
日本专利
:JP2024135558A
,2024-10-04
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