半導体基板のエッジ研磨用組成物及びそれを用いた半導体基板のエッジ研磨方法[ja]

被引:0
申请号
JP20120539768
申请日
2011-10-20
公开(公告)号
JPWO2012053616A1
公开(公告)日
2014-02-24
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L21/304
IPC分类号
B24B37/00 C09K3/14
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[3]
半導体基板用研磨液及び半導体基板の研磨方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2010122985A1 ,2012-10-25
[4]
化合物半導体基板研磨用の研磨液、及び、化合物半導体基板の研磨方法[ja] [P]. 
SAKAI AYUMI .
日本专利 :JP2023166263A ,2023-11-21
[5]
化合物半導体基板研磨用の研磨液[ja] [P]. 
SAKAI AYUMI ;
KOJIMA KATSUYOSHI .
日本专利 :JP2024037247A ,2024-03-19
[6]
研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法、研磨方法、半導体基板の製造方法[ja] [P]. 
MAE RYOTA .
日本专利 :JP2024048924A ,2024-04-09
[9]
研磨用組成物、研磨方法、および半導体基板の製造方法[ja] [P]. 
MAE RYOTA .
日本专利 :JP2025042789A ,2025-03-28
[10]
研磨用組成物、研磨方法および半導体基板の製造方法[ja] [P]. 
MAE RYOTA .
日本专利 :JP2024135558A ,2024-10-04