半導体積層体及び結晶性金属酸化物半導体膜[ja]

被引：0

申请号：

JP20220021858

申请日：

2022-02-16

公开(公告)号：

JP2022070975A

公开(公告)日：

2022-05-13

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L29/872

IPC分类号：

C30B25/02 C30B29/16 H01L21/205 H01L29/12 H01L29/47 H01L29/739 H01L29/78

代理机构：

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法律状态：

国省代码：

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共 50 条

[1]

結晶性酸化物半導体膜、半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JP7016489B2 ,2022-02-07

[2]

結晶性酸化物半導体膜、半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JP6876895B2 ,2021-05-26

[3]

結晶性酸化物半導体膜、半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JP6980183B2 ,2021-12-15

[4]

酸化物半導体積層膜及び半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JP5980737B2 ,2016-08-31

[5]

結晶性酸化物膜、積層構造体及び半導体装置[ja] [P].

WATABE TAKENORI ;

HASHIGAMI HIROSHI ;

SAKAZUME TAKAHIRO ;

UNO KAZUYUKI .

日本专利 :JP2022088406A ,2022-06-14

[6]

結晶性酸化物半導体膜および半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018084304A1 ,2019-11-07

[7]

結晶性酸化物半導体膜および半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JP2022172066A ,2022-11-15

[8]

結晶性酸化物半導体膜および半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JP6994181B2 ,2022-02-04

[9]

結晶性酸化物半導体膜および半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JP6701472B2 ,2020-05-27

[10]

結晶性酸化物半導体膜および半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JP7358718B2 ,2023-10-11

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