結晶性酸化物膜、積層構造体及び半導体装置[ja]

被引：0

申请号：

JP20220033298

申请日：

2022-03-04

公开(公告)号：

JP2022088406A

公开(公告)日：

2022-06-14

发明(设计)人：

WATABE TAKENORI HASHIGAMI HIROSHI SAKAZUME TAKAHIRO UNO KAZUYUKI

申请人：

SHINETSU CHEMICAL CO UNIV WAKAYAMA

申请人地址：

IPC主分类号：

C30B29/16

IPC分类号：

C23C16/40 C30B25/18 H01L21/336 H01L21/365 H01L21/368 H01L29/24 H01L29/786

代理机构：

代理人：

法律状态：

国省代码：

引用

下载

共 50 条

[1]

半導体積層体及び結晶性金属酸化物半導体膜[ja] [P].

日本专利 :JP2022070975A ,2022-05-13

[2]

結晶性酸化物膜及び積層構造体[ja] [P].

SHINOHE TAKASHI ;

ANDO HIROYUKI ;

MATSUKI HIDEO ;

HOSHI SHINICHI ;

KANEMURA TAKASHI .

日本专利 :JP2024143321A ,2024-10-11

[3]

結晶性酸化物半導体膜、半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JP7016489B2 ,2022-02-07

[4]

結晶性酸化物半導体膜、半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JP6876895B2 ,2021-05-26

[5]

結晶性酸化物半導体膜、半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JP6980183B2 ,2021-12-15

[6]

酸化物半導体積層膜及び半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JP5980737B2 ,2016-08-31

[7]

酸化物半導体膜、積層体及び酸化物半導体膜の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7105703B2 ,2022-07-25

[8]

結晶性酸化物半導体膜および半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JP7126082B2 ,2022-08-26

[9]

結晶性酸化物半導体膜および半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018084304A1 ,2019-11-07

[10]

結晶性酸化物半導体膜および半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JP2022172066A ,2022-11-15

← 1 2 3 4 5 →