半導体装置[ja]

被引:0
申请号
JP20130548680
申请日
2012-07-03
公开(公告)号
JPWO2014006695A1
公开(公告)日
2016-06-02
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L29/47
IPC分类号
H01L21/322 H01L29/872
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
半導体装置[ja] [P]. 
SHIMOMURA SAYA ;
KATO HIROO ;
KACHI TAKESHI .
日本专利 :JP2025042462A ,2025-03-27
[2]
半導体装置及び半導体装置の製造方法[ja] [P]. 
KIMURA HIROSHI ;
MATSUZAKI KINSHI .
日本专利 :JP2023170145A ,2023-12-01
[3]
半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2012169053A1 ,2015-02-23
[4]
半導体基板の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2009014144A1 ,2010-10-07
[5]
半導体基板内部の重金属の除去方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP5691363B2 ,2015-04-01
[6]
異種材料接合を有する半導体デバイス[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2014174937A1 ,2017-02-23
[7]
担体材料に導電性構造体を製造する方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2022187017A ,2022-12-15
[8]
担体材料に導電性構造体を製造する方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2020515717A ,2020-05-28
[10]
積層半透膜[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2016084958A1 ,2017-10-05