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磁性体薄膜形成用スパッタリングターゲット[ja]

被引：0
申请号：
JP20160535848
申请日：
2015-06-18
公开(公告)号：
JP6359662B2
公开(公告)日：
2018-07-18
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
C23C14/34
IPC分类号：
C22C1/05 C22C33/02 G11B5/64 G11B5/851
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
共 50 条
[1]
磁性体薄膜形成用スパッタリングターゲット[ja] [P]. 
日本专利 :JP6445126B2 ,2018-12-26
[2]
磁性体薄膜形成用スパッタリングターゲット[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2016013334A1 ,2017-04-27
[3]
磁性体薄膜形成用スパッタリングターゲット[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2016133047A1 ,2017-11-09
[4]
強磁性材スパッタリングターゲット[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2012029331A1 ,2013-10-28
[5]
磁性体ターゲットとバッキングプレートとの接合方法及び磁性体ターゲット[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2003052161A1 ,2005-04-28
[6]
スパッタリング装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2014132308A1 ,2017-02-02
[7]
マグネトロンスパッタリングカソードおよびそれを用いたマグネトロンスパッタリング装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019167438A1 ,2020-12-03
[8]
マグネトロンスパッタリング用磁場発生装置及び回転式マグネトロンスパッタリング装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP2022115131A ,2022-08-09
[9]
マグネトロンスパッタリング用磁場発生装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2013115030A1 ,2015-05-11
[10]
マグネトロンスパッタリング用磁場発生装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2016148058A1 ,2018-01-11
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