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マグネトロンスパッタリング用磁場発生装置[ja]
被引:0
申请号
:
JP20130556338
申请日
:
2013-01-23
公开(公告)号
:
JPWO2013115030A1
公开(公告)日
:
2015-05-11
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C23C14/35
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
マグネトロンスパッタリング用磁場発生装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012102092A1
,2014-06-30
[2]
マグネトロンスパッタリング用磁場発生装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014125889A1
,2017-02-02
[3]
マグネトロンスパッタリング用磁場発生装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016148058A1
,2018-01-11
[4]
マグネトロンスパッタリング用磁場発生装置及び回転式マグネトロンスパッタリング装置[ja]
[P].
日本专利
:JP2022115131A
,2022-08-09
[5]
マグネトロンスパッタリングカソードおよびそれを用いたマグネトロンスパッタリング装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019167438A1
,2020-12-03
[6]
マグネトロンユニット、マグネトロンスパッタリング装置及び電子デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009057715A1
,2011-03-10
[7]
スパッタリング装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014132308A1
,2017-02-02
[8]
プラズマ発生装置、プラズマスパッタリング装置及びプラズマスパッタリング方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018143164A1
,2019-11-21
[9]
強磁性材スパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012029331A1
,2013-10-28
[10]
磁性体薄膜形成用スパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JP6359662B2
,2018-07-18
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