スパッタリング装置[ja]

被引:0
申请号
JP20150502583
申请日
2013-11-19
公开(公告)号
JPWO2014132308A1
公开(公告)日
2017-02-02
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
C23C14/34
IPC分类号
C23C14/35
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
強磁性材スパッタリングターゲット[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2012029331A1 ,2013-10-28
[3]
磁性体薄膜形成用スパッタリングターゲット[ja] [P]. 
日本专利 :JP6359662B2 ,2018-07-18
[4]
磁性体薄膜形成用スパッタリングターゲット[ja] [P]. 
日本专利 :JP6445126B2 ,2018-12-26
[5]
磁性体薄膜形成用スパッタリングターゲット[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2016133047A1 ,2017-11-09
[6]
磁性体薄膜形成用スパッタリングターゲット[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2016013334A1 ,2017-04-27
[7]
マグネトロンスパッタリング用磁場発生装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2013115030A1 ,2015-05-11
[8]
マグネトロンスパッタリング用磁場発生装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2016148058A1 ,2018-01-11
[9]
マグネトロンスパッタリング用磁場発生装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2012102092A1 ,2014-06-30
[10]
マグネトロンスパッタリング用磁場発生装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2014125889A1 ,2017-02-02