負極活物質及びこれを含むリチウム二次電池[ja]

被引：0

申请号：

JP20160563932

申请日：

2015-04-22

公开(公告)号：

JP2017514280A

公开(公告)日：

2017-06-01

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01M4/38

IPC分类号：

H01M4/36

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共 50 条

[21]

二次元の拡大を伴う導光光学素子を含む光学システム[ja] [P].

日本专利 :JP2022517151A ,2022-03-07

[22]

二次元の拡大を伴う導光光学素子を含む光学システム[ja] [P].

日本专利 :JP7424635B2 ,2024-01-30

[23]

二次元の拡張を有する導光光学素子を含む光学システム[ja] [P].

日本专利 :JP7407458B2 ,2024-01-04

[24]

二次元の拡張を有する導光光学素子を含む光学システム[ja] [P].

日本专利 :JP2021535444A ,2021-12-16

[25]

二次元の拡張を有する導光光学素子を含む光学システム[ja] [P].

日本专利 :JP7788167B2 ,2025-12-18

[26]

二次元フリッカ測定装置、二次元フリッカ測定システム、二次元フリッカ測定方法、及び、二次元フリッカ測定プログラム[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019069634A1 ,2020-12-03

[27]

二次元フリッカ測定装置、二次元フリッカ測定システム、二次元フリッカ測定方法、及び、二次元フリッカ測定プログラム[ja] [P].

日本专利 :JP7207319B2 ,2023-01-18

[28]

二次元コード及びこれを印字した印字対象物、半導体装置及び二次元コードの検出方法[ja] [P].

日本专利 :JP6524900B2 ,2019-06-05

[29]

強誘電構造体及びその製造方法、これを適用した真性乱数生成器、これを適用した太陽電池、及びこれを適用した不揮発性ＲＦスイッチ[ja] [P].

LEE SUNG-JOO ;

LEE YOON MYUNG ;

KANG SEONG KWEON ;

BISWAJIT DAS ;

LEE SANG MIN ;

HONG DOO JIN ;

KIM JAE ROK ;

CHOI HAE JU ;

BAEK SUNG PYO ;

KANG TAE HO ;

JANG CHEOL HWA ;

NOH JONG MIN ;

LEE NA-YEON .

日本专利 :JP2025089994A ,2025-06-16

[30]

光走査装置及びそれを用いた二次元画像表示装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2008108068A1 ,2010-06-10

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