負極活物質及びこれを含むリチウム二次電池[ja]

被引：0

申请号：

JP20160563932

申请日：

2015-04-22

公开(公告)号：

JP2017514280A

公开(公告)日：

2017-06-01

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01M4/38

IPC分类号：

H01M4/36

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共 50 条

[41]

黒リン結晶及びその製造方法、光電検出器、二次元黒リンＰＮ接合及びその製造方法並びに使用[ja] [P].

日本专利 :JP6810753B2 ,2021-01-06

[42]

極めて弱い光のマルチスペクトル二次元イメージング方法及びそのシステム[ja] [P].

日本专利 :JP5947377B2 ,2016-07-06

[43]

量子ナノドット、二次元量子ナノドットアレイ及びこれを用いた半導体装置並びに製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2012173162A1 ,2015-07-30

[44]

陽電子を弱く吸収する物体の陽電子－放射体－密度分布を二次元的に撮像する方法及び装置[ja] [P].

日本专利 :JP7113836B2 ,2022-08-05

[45]

陽電子を弱く吸収する物体の陽電子−放射体−密度分布を二次元的に撮像する方法及び装置[ja] [P].

日本专利 :JP2020515824A ,2020-05-28

[46]

アクチュエータ装置、このアクチュエータ装置用の保護カバー、このアクチュエータの製造方法、このアクチュエータ装置を用いた光偏向装置、二次元光走査装置及びこれを用いた画像投影装置[ja] [P].

日本专利 :JP5842467B2 ,2016-01-13

[47]

メタンの乾式改質反応用二次元ニッケルシリケート分子篩触媒の製造方法およびこれによって製造されたメタンの乾式改質反応用二次元ニッケルシリケート分子篩触媒[ja] [P].

日本专利 :JP7714056B2 ,2025-07-28

[48]

メタンの乾式改質反応用二次元ニッケルシリケート分子篩触媒の製造方法およびこれによって製造されたメタンの乾式改質反応用二次元ニッケルシリケート分子篩触媒[ja] [P].

日本专利 :JP2024522956A ,2024-06-24

[49]

広域マルチラテレーションシステム、中央局及びそれらに用いる二次元位置算出方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013136648A1 ,2015-08-03

[50]

回折光学素子のための二次元ウェッジ及び局所的封入層を作製する方法[ja] [P].

日本专利 :JP7642058B2 ,2025-03-07

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