薄膜トランジスタ型基板、薄膜トランジスタ型液晶表示装置および薄膜トランジスタ型基板の製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20100508203

申请日：

2009-04-13

公开(公告)号：

JPWO2009128424A1

公开(公告)日：

2011-08-04

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L23/52

IPC分类号：

G02F1/1343 G02F1/1368 H01L21/28 H01L21/285 H01L21/306 H01L21/3205 H01L21/336 H01L21/768 H01L29/786

代理机构：

代理人：

法律状态：

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ基板、液晶表示装置および薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6234642B1 ,2017-11-22

[2]

薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ基板、液晶表示装置および薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017158967A1 ,2018-03-29

[3]

トランジスタ、薄膜トランジスタ基板および液晶表示装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016175034A1 ,2017-08-10

[4]

薄膜トランジスタ基板及び薄膜トランジスタ基板の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015087466A1 ,2017-03-16

[5]

薄膜トランジスタ基板の製造方法及び薄膜トランジスタ基板[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015029286A1 ,2017-03-02

[6]

薄膜トランジスタ基板及び薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P].

TANAKA ATSUSHI ;

TAKECHI KAZUE .

日本专利 :JP2024092934A ,2024-07-08

[7]

薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ[ja] [P].

SAKAI TOSHIHIKO ;

HIGASHI DAISUKE ;

FUJIWARA MASAYOSHI .

日本专利 :JP2025074478A ,2025-05-14

[8]

薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010047326A1 ,2012-03-22

[9]

薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P].

TODA TATSUYA .

日本专利 :JP2024099069A ,2024-07-25

[10]

薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010061721A1 ,2012-04-26

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