薄膜の平坦化方法、平坦化薄膜の形成方法及び薄膜形成用ワニス[ja]

被引：0

申请号：

JP20160523538

申请日：

2015-05-27

公开(公告)号：

JPWO2015182667A1

公开(公告)日：

2017-04-20

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H05B33/10

IPC分类号：

C09D7/12 C09D201/00 H01L51/50

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法律状态信息

共 50 条

[1]

金属窒化物薄膜の形成方法[ja] [P].

日本专利 :JP2022546822A ,2022-11-09

[2]

薄膜形成装置および薄膜形成方法[ja] [P].

FUJII SATOSHI ;

FUKUSHIMA JUN ;

TAKIZAWA HIROTANE ;

ISHII TOMONORI .

日本专利 :JP2024142274A ,2024-10-10

[3]

多孔質薄膜の形成方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2004092440A1 ,2006-07-06

[4]

薄膜形成方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014196352A1 ,2017-02-23

[5]

薄膜形成方法[ja] [P].

日本专利 :JP7776911B1 ,2025-11-27

[6]

有機薄膜形成方法、有機薄膜形成用補助剤及び有機薄膜形成用溶液[ja] [P].

日本专利 :JPWO2006009202A1 ,2008-05-01

[7]

薄膜形成装置、溅射阴极以及薄膜形成方法 [P].

宫内充祐 ;

村田尊则 ;

菅原卓哉 ;

盐野一郎 ;

姜友松 ;

林达也 ;

长江亦周 .

中国专利 :CN103946417A ,2014-07-23

[8]

薄膜的形成方法 [P].

矢岛孝博 ;

金井正博 ;

杉山秀一郎 .

中国专利 :CN1193436C ,2002-03-06

[9]

有机薄膜形成方法 [P].

肥高友也 ;

藤田佳孝 ;

中本宪史 ;

熊泽和久 ;

星英司 .

中国专利 :CN101534967B ,2009-09-16

[10]

有机薄膜形成方法、有机薄膜形成用辅助剂和有机薄膜形成用溶液 [P].

木村信夫 ;

藤田佳孝 ;

肥高友也 .

中国专利 :CN1988965B ,2007-06-27

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