多孔質薄膜の形成方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20050505444

申请日：

2004-04-15

公开(公告)号：

JPWO2004092440A1

公开(公告)日：

2006-07-06

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

C23C14/58

IPC分类号：

B01J35/00 B01J37/02 B01J37/34 C01B13/14 C01G23/047 C23C14/08 C23C14/14 C23F1/00 H01L31/04 H01M4/88 H01M4/92

代理机构：

代理人：

法律状态：

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

薄膜形成方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014196352A1 ,2017-02-23

[2]

薄膜形成方法[ja] [P].

日本专利 :JP7776911B1 ,2025-11-27

[3]

ＣＶＤ装置およびその薄膜形成方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2007074545A1 ,2009-06-04

[4]

薄膜形成装置、溅射阴极以及薄膜形成方法 [P].

宫内充祐 ;

村田尊则 ;

菅原卓哉 ;

盐野一郎 ;

姜友松 ;

林达也 ;

长江亦周 .

中国专利 :CN103946417A ,2014-07-23

[5]

金属窒化物薄膜の形成方法[ja] [P].

日本专利 :JP2022546822A ,2022-11-09

[6]

２次元材料薄膜の形成方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025158838A ,2025-10-17

[7]

薄膜形成装置および薄膜形成方法[ja] [P].

FUJII SATOSHI ;

FUKUSHIMA JUN ;

TAKIZAWA HIROTANE ;

ISHII TOMONORI .

日本专利 :JP2024142274A ,2024-10-10

[8]

有機薄膜形成方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2008059840A1 ,2010-03-04

[9]

薄膜の平坦化方法、平坦化薄膜の形成方法及び薄膜形成用ワニス[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015182667A1 ,2017-04-20

[10]

多孔質絶縁膜の形成方法および半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2007032261A1 ,2009-03-19

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