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薄膜形成方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20250065289
申请日
:
2025-04-10
公开(公告)号
:
JP7776911B1
公开(公告)日
:
2025-11-27
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C09D1/00
IPC分类号
:
B24B37/00
B32B5/16
B32B9/00
C09G1/02
C09K3/14
C23C18/12
C23C26/00
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
薄膜形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014196352A1
,2017-02-23
[2]
薄膜形成装置および薄膜形成方法[ja]
[P].
FUJII SATOSHI
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机构:
UNIV TOHOKU
UNIV TOHOKU
FUJII SATOSHI
;
FUKUSHIMA JUN
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机构:
UNIV TOHOKU
UNIV TOHOKU
FUKUSHIMA JUN
;
TAKIZAWA HIROTANE
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机构:
UNIV TOHOKU
UNIV TOHOKU
TAKIZAWA HIROTANE
;
ISHII TOMONORI
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机构:
UNIV TOHOKU
UNIV TOHOKU
ISHII TOMONORI
.
日本专利
:JP2024142274A
,2024-10-10
[3]
有機薄膜形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008059840A1
,2010-03-04
[4]
薄膜的形成方法
[P].
矢岛孝博
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矢岛孝博
;
金井正博
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金井正博
;
杉山秀一郎
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杉山秀一郎
.
中国专利
:CN1193436C
,2002-03-06
[5]
有机薄膜形成方法
[P].
肥高友也
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肥高友也
;
藤田佳孝
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藤田佳孝
;
中本宪史
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中本宪史
;
熊泽和久
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熊泽和久
;
星英司
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星英司
.
中国专利
:CN101534967B
,2009-09-16
[6]
多孔質薄膜の形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2004092440A1
,2006-07-06
[7]
薄膜形成装置、溅射阴极以及薄膜形成方法
[P].
宫内充祐
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宫内充祐
;
村田尊则
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村田尊则
;
菅原卓哉
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菅原卓哉
;
盐野一郎
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盐野一郎
;
姜友松
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姜友松
;
林达也
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林达也
;
长江亦周
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长江亦周
.
中国专利
:CN103946417A
,2014-07-23
[8]
パターン薄膜形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011021622A1
,2013-01-24
[9]
银镜薄膜形成方法及包含该银镜薄膜的涂层的形成方法
[P].
樱井晃
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樱井晃
;
户崎淳一
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户崎淳一
.
中国专利
:CN1732289A
,2006-02-08
[10]
铁电薄膜形成用溶胶-凝胶液及铁电薄膜的形成方法
[P].
土井利浩
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土井利浩
;
樱井英章
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樱井英章
;
曽山信幸
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曽山信幸
.
中国专利
:CN104058743A
,2014-09-24
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