２次元材料薄膜の形成方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20240061742

申请日：

2024-04-05

公开(公告)号：

JP2025158838A

公开(公告)日：

2025-10-17

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

C23C14/58

IPC分类号：

C23C14/06 C23C16/30 C23C16/56 H01L21/203 H10D30/60

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共 50 条

[1]

薄膜の形成方法[ja] [P].

KOMOTO SHUNICHI .

日本专利 :JP2025039265A ,2025-03-21

[2]

２次元材料薄膜検出方法および２次元材料薄膜検出システム[ja] [P].

日本专利 :JP7157480B2 ,2022-10-20

[3]

酸化物薄膜の形成方法[ja] [P].

日本专利 :JP6005288B2 ,2016-10-12

[4]

多孔質薄膜の形成方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2004092440A1 ,2006-07-06

[5]

酸化物薄膜の形成方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015011855A1 ,2017-03-02

[6]

薄膜形成方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014196352A1 ,2017-02-23

[7]

薄膜形成方法[ja] [P].

日本专利 :JP7776911B1 ,2025-11-27

[8]

ＣＶＤ装置およびその薄膜形成方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2007074545A1 ,2009-06-04

[9]

金属窒化物薄膜の形成方法[ja] [P].

日本专利 :JP2022546822A ,2022-11-09

[10]

薄膜形成装置および薄膜形成方法[ja] [P].

FUJII SATOSHI ;

FUKUSHIMA JUN ;

TAKIZAWA HIROTANE ;

ISHII TOMONORI .

日本专利 :JP2024142274A ,2024-10-10

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