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絶縁ゲートバイポーラトランジスタ及びその製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20170564740
申请日
:
2016-06-22
公开(公告)号
:
JP2018526813A
公开(公告)日
:
2018-09-13
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L29/739
IPC分类号
:
H01L21/336
H01L21/76
H01L29/06
H01L29/78
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2018505549A
,2018-02-22
[2]
トランジスタ、トランジスタの製造方法及びその製造装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010098101A1
,2012-08-30
[3]
トランジスタ、トランジスタの製造方法及びその製造装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010098100A1
,2012-08-30
[4]
薄膜トランジスタおよびその製造方法、ならびに薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜形成溶液[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018074607A1
,2019-09-05
[5]
トランジスタの製造方法、トランジスタ及びスパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010092810A1
,2012-08-16
[6]
薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013141197A1
,2015-08-03
[7]
薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010106920A1
,2012-09-20
[8]
トランジスタ及びトランジスタの作製方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2022109267A
,2022-07-27
[9]
薄膜トランジスタ及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025534437A
,2025-10-15
[10]
薄膜トランジスタ及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010047077A1
,2012-03-22
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