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化合物半導体装置の製造方法、基板評価装置及び基板評価方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20110255318
申请日
:
2011-11-22
公开(公告)号
:
JP5953712B2
公开(公告)日
:
2016-07-20
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/66
IPC分类号
:
G01N21/64
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
化合物半導体薄膜の評価装置、化合物半導体薄膜の評価方法、及び太陽電池の製造方法。[ja]
[P].
日本专利
:JP5729093B2
,2015-06-03
[2]
化合物半導体基板の評価方法、およびこれを用いた化合物半導体基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6831764B2
,2021-02-17
[3]
化合物半導体基板の製造方法及び化合物半導体基板、半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP6622106B2
,2019-12-18
[4]
化合物半導体基板、半導体装置及び化合物半導体基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6557538B2
,2019-08-07
[5]
化合物半導体を評価する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6033723B2
,2016-11-30
[6]
化合物半導体基板の製造方法および化合物半導体基板[ja]
[P].
日本专利
:JP6925117B2
,2021-08-25
[7]
化合物半導体基板および化合物半導体基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6450282B2
,2019-01-09
[8]
化合物半導体基板および化合物半導体基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7726426B1
,2025-08-20
[9]
化合物半導体基板および化合物半導体基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7550557B2
,2024-09-13
[10]
六方晶化合物半導体の歪評価方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6859157B2
,2021-04-14
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