学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审
化合物半導体を評価する方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20130066693
申请日
:
2013-03-27
公开(公告)号
:
JP6033723B2
公开(公告)日
:
2016-11-30
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
G01N23/223
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
六方晶化合物半導体の歪評価方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6859157B2
,2021-04-14
[2]
化合物半導体を洗浄する方法、化合物半導体の洗浄用の溶液[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016013239A1
,2017-07-13
[3]
化合物半導体薄膜の評価装置、化合物半導体薄膜の評価方法、及び太陽電池の製造方法。[ja]
[P].
日本专利
:JP5729093B2
,2015-06-03
[4]
III−V化合物半導体素子を作製する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6089953B2
,2017-03-08
[5]
半導体化合物[ja]
[P].
日本专利
:JP6099634B2
,2017-03-22
[6]
化合物半導体[ja]
[P].
日本专利
:JP5888240B2
,2016-03-16
[7]
化合物半導体[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012077526A1
,2014-05-19
[8]
化合物半導体装置の製造方法、基板評価装置及び基板評価方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5953712B2
,2016-07-20
[9]
窒化物系化合物半導体素子を製造する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6138359B2
,2017-05-31
[10]
窒化物系化合物半導体素子を製造する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2016530700A
,2016-09-29
←
1
2
3
4
5
→