炭化珪素半導体装置およびその製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20050505190

申请日：

2004-03-24

公开(公告)号：

JPWO2004090969A1

公开(公告)日：

2006-07-06

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L21/04

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法律状态信息

共 50 条

[1]

炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025171974A ,2025-11-20

[2]

半導体装置およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011033665A1 ,2013-02-07

[3]

半導体装置、その製造方法およびその製造装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2004008544A1 ,2005-11-17

[4]

半導体装置およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018061969A1 ,2019-07-11

[5]

半導体装置およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025000477A ,2025-01-07

[6]

半導体装置およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2012090794A1 ,2014-06-05

[7]

半導体装置およびその製造方法[ja] [P].

BEPPU TAKAYUKI ;

TAWARA HIROKO ;

KITAMURA MASAYUKI ;

TOYODA HIROSHI ;

OTORI HIROYUKI .

日本专利 :JP2024078906A ,2024-06-11

[8]

半導体装置およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011111781A1 ,2013-06-27

[9]

半導体装置およびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016084698A1 ,2017-09-07

[10]

半導体装置の製造方法およびその製造装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2007043709A1 ,2009-04-23

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