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半導体装置およびその製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20220191519
申请日
:
2022-11-30
公开(公告)号
:
JP2024078906A
公开(公告)日
:
2024-06-11
发明(设计)人
:
BEPPU TAKAYUKI
TAWARA HIROKO
KITAMURA MASAYUKI
TOYODA HIROSHI
OTORI HIROYUKI
申请人
:
KIOXIA CORP
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/28
IPC分类号
:
H01L21/285
H01L21/3205
H01L21/336
H10B43/27
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体装置およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011033665A1
,2013-02-07
[2]
半導体装置、その製造方法およびその製造装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2004008544A1
,2005-11-17
[3]
半導体装置およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018061969A1
,2019-07-11
[4]
半導体装置およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025000477A
,2025-01-07
[5]
半導体装置およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012090794A1
,2014-06-05
[6]
半導体装置およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011111781A1
,2013-06-27
[7]
半導体装置およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016084698A1
,2017-09-07
[8]
半導体装置の製造方法およびその製造装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007043709A1
,2009-04-23
[9]
炭化珪素半導体装置およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2004090969A1
,2006-07-06
[10]
化合物半導体装置およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008041277A1
,2010-01-28
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