半導体装置およびその製造方法[ja]

被引:0
申请号
JP20220191519
申请日
2022-11-30
公开(公告)号
JP2024078906A
公开(公告)日
2024-06-11
发明(设计)人
BEPPU TAKAYUKI TAWARA HIROKO KITAMURA MASAYUKI TOYODA HIROSHI OTORI HIROYUKI
申请人
KIOXIA CORP
申请人地址
IPC主分类号
H01L21/28
IPC分类号
H01L21/285 H01L21/3205 H01L21/336 H10B43/27
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2011033665A1 ,2013-02-07
[2]
半導体装置、その製造方法およびその製造装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2004008544A1 ,2005-11-17
[3]
半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2018061969A1 ,2019-07-11
[4]
半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025000477A ,2025-01-07
[5]
半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2012090794A1 ,2014-06-05
[6]
半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2011111781A1 ,2013-06-27
[7]
半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2016084698A1 ,2017-09-07
[8]
半導体装置の製造方法およびその製造装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2007043709A1 ,2009-04-23
[9]
炭化珪素半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2004090969A1 ,2006-07-06
[10]
化合物半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2008041277A1 ,2010-01-28