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酸化物半導体膜及びその製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20180525322
申请日
:
2017-06-30
公开(公告)号
:
JP6994183B2
公开(公告)日
:
2022-01-14
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/365
IPC分类号
:
C01G55/00
C23C16/40
C23C16/448
H01L21/337
H01L21/338
H01L21/368
H01L29/12
H01L29/24
H01L29/739
H01L29/778
H01L29/78
H01L29/808
H01L29/812
H01L29/872
H10N10/855
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[21]
酸化物膜の成膜方法、半導体装置の製造方法、及び、酸化物膜の成膜装置[ja]
[P].
日本专利
:JP7212890B2
,2023-01-26
[22]
酸化物半導体装置およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012056933A1
,2014-03-20
[23]
酸化物半導体装置およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011065329A1
,2013-04-11
[24]
酸化物半導体装置、および、酸化物半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6685476B2
,2020-04-22
[25]
酸化物半導体装置、および、酸化物半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019003861A1
,2019-11-07
[26]
酸化物超電導導体及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011136117A1
,2013-07-18
[27]
酸化物膜及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5996227B2
,2016-09-21
[28]
酸化物半導体膜の作製方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6126156B2
,2017-05-10
[29]
酸化物半導体膜の作製方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6668455B2
,2020-03-18
[30]
酸化物半導体膜の作製方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6158980B2
,2017-07-05
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