酸化物半導体膜及びその製造方法[ja]

被引:0
申请号
JP20180525322
申请日
2017-06-30
公开(公告)号
JP6994183B2
公开(公告)日
2022-01-14
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L21/365
IPC分类号
C01G55/00 C23C16/40 C23C16/448 H01L21/337 H01L21/338 H01L21/368 H01L29/12 H01L29/24 H01L29/739 H01L29/778 H01L29/78 H01L29/808 H01L29/812 H01L29/872 H10N10/855
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[22]
酸化物半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2012056933A1 ,2014-03-20
[23]
酸化物半導体装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2011065329A1 ,2013-04-11
[26]
酸化物超電導導体及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2011136117A1 ,2013-07-18
[27]
酸化物膜及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP5996227B2 ,2016-09-21
[28]
酸化物半導体膜の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6126156B2 ,2017-05-10
[29]
酸化物半導体膜の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6668455B2 ,2020-03-18
[30]
酸化物半導体膜の作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6158980B2 ,2017-07-05