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Cu−Ga系合金ターゲットの製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20120197680
申请日
:
2012-09-07
公开(公告)号
:
JP6088768B2
公开(公告)日
:
2017-03-01
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C23C14/34
IPC分类号
:
B22D18/02
B22D21/00
B22D27/11
C22C9/00
C22C28/00
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
酸素含有量が低いCu−Ga系合金粉末、Cu−Ga系合金ターゲット材、およびターゲット材の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5661540B2
,2015-01-28
[2]
CoFeB系合金ターゲット材[ja]
[P].
日本专利
:JP6660130B2
,2020-03-04
[3]
酸素含有量が低いCu−Ga系合金スパッタリングターゲット材[ja]
[P].
日本专利
:JP5795420B2
,2015-10-14
[4]
Cu−Al−Mn系合金材の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6490608B2
,2019-03-27
[5]
Sb−Te系合金焼結体ターゲット及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006067937A1
,2008-06-12
[6]
Al−Te−Cu−Zr系合金からなるスパッタリングターゲット及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016056612A1
,2017-04-27
[7]
Al−Te−Cu−Zr系合金からなるスパッタリングターゲット及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6282755B2
,2018-02-21
[8]
FePt系スパッタリングターゲット及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013105647A1
,2015-05-11
[9]
FePt系スパッタリングターゲット及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013105648A1
,2015-05-11
[10]
Cu−Ni−Si系合金及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6246454B2
,2017-12-13
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