酸素含有量が低いＣｕ−Ｇａ系合金粉末、Ｃｕ−Ｇａ系合金ターゲット材、およびターゲット材の製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20110081806

申请日：

2011-04-01

公开(公告)号：

JP5661540B2

公开(公告)日：

2015-01-28

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

C23C14/34

IPC分类号：

B22F1/00 B22F1/05 B22F3/14 B22F3/15 C22C9/00

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共 50 条

[1]

Ｃｕ−Ｇａ系合金ターゲットの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6088768B2 ,2017-03-01

[2]

酸素含有量が低いＣｕ−Ｇａ系合金粉末およびスパッタリングターゲット材の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5840748B2 ,2016-01-06

[3]

酸素含有量が低いＣｕ−Ｇａ系合金スパッタリングターゲット材[ja] [P].

日本专利 :JP5795420B2 ,2015-10-14

[4]

Ｃｕ−Ｇａ合金粉末及びＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲット[ja] [P].

日本专利 :JP5740988B2 ,2015-07-01

[5]

Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットの製造方法及びＣｕ−Ｇａ合金粉末の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5630416B2 ,2014-11-26

[6]

Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末の製造方法、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末の製造方法、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体の製造方法、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末及びＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011148600A1 ,2013-07-25

[7]

Ｃｕ−Ｇａターゲット及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011001974A1 ,2012-12-13

[8]

ＣｏＦｅＢ系合金ターゲット材[ja] [P].

日本专利 :JP6660130B2 ,2020-03-04

[9]

Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲット及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5743119B1 ,2015-07-01

[10]

Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金粉末の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5725135B2 ,2015-05-27

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