Ｃｕ−Ｇａ合金粉末及びＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲット[ja]

被引：0

申请号：

JP20110003116

申请日：

2011-01-11

公开(公告)号：

JP5740988B2

公开(公告)日：

2015-07-01

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

B22F9/02

IPC分类号：

B22F1/00 C22C9/00 C23C14/34

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共 50 条

[1]

Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットの製造方法及びＣｕ−Ｇａ合金粉末の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5630416B2 ,2014-11-26

[2]

Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末の製造方法、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末の製造方法、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体の製造方法、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金粉末及びＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011148600A1 ,2013-07-25

[3]

酸素含有量が低いＣｕ−Ｇａ系合金粉末、Ｃｕ−Ｇａ系合金ターゲット材、およびターゲット材の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5661540B2 ,2015-01-28

[4]

Ｃｕ−Ｇａ焼結体スパッタリングターゲット及び同ターゲットの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011013471A1 ,2013-01-07

[5]

酸素含有量が低いＣｕ−Ｇａ系合金粉末およびスパッタリングターゲット材の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5840748B2 ,2016-01-06

[6]

超合金スパッタリングターゲット[ja] [P].

日本专利 :JP2020521040A ,2020-07-16

[7]

Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金粉末の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5725135B2 ,2015-05-27

[8]

Ｃｕ−Ｇａ合金焼結体スパッタリングターゲット、同ターゲットの製造方法、Ｃｕ−Ｇａ合金焼結体ターゲットから作製された光吸収層及び同光吸収層を用いたＣＩＧＳ系太陽電池[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011010529A1 ,2012-12-27

[9]

Ｃｕ基合金粉末及びこのＣｕ基合金粉末を用いた成形体[ja] [P].

MORIGUCHI HIROKI ;

IKEDA HIROKI ;

SAWADA TOSHIYUKI .

日本专利 :JP2024134890A ,2024-10-04

[10]

合金組成物、合金粉末、合金リボン、インダクタ及びモータ[ja] [P].

日本专利 :JP2023510564A ,2023-03-14

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