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銅化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20140100611
申请日
:
2014-05-14
公开(公告)号
:
JP6278827B2
公开(公告)日
:
2018-02-14
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C07C215/08
IPC分类号
:
C07F1/08
C23C16/18
H01L21/28
H01L21/285
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7730762B2
,2025-08-28
[2]
化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7075891B2
,2022-05-26
[3]
化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6811514B2
,2021-01-13
[4]
金属化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006049059A1
,2008-05-29
[5]
金属化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2005063685A1
,2007-07-19
[6]
新規な化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6675159B2
,2020-04-01
[7]
新規な化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6948159B2
,2021-10-13
[8]
化合物、薄膜形成用原料、原子層堆積法用の薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6760822B2
,2020-09-23
[9]
コバルト化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6249875B2
,2017-12-20
[10]
ルテニウム化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6429352B1
,2018-11-28
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