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金属化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20050516552
申请日
:
2004-11-09
公开(公告)号
:
JPWO2005063685A1
公开(公告)日
:
2007-07-19
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C07C215/08
IPC分类号
:
C07F7/00
C23C16/18
C23C16/40
H01L21/316
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
金属化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006049059A1
,2008-05-29
[2]
化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7730762B2
,2025-08-28
[3]
化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7075891B2
,2022-05-26
[4]
化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6811514B2
,2021-01-13
[5]
金属化合物、薄膜形成用原料及薄膜的制造方法
[P].
樱井淳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
樱井淳
;
山田直树
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
山田直树
.
中国专利
:CN1898192A
,2007-01-17
[6]
金属化合物、薄膜形成用原料及薄膜的制造方法
[P].
芳仲笃也
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
芳仲笃也
;
樱井淳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
樱井淳
.
中国专利
:CN101052615B
,2007-10-10
[7]
銅化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6278827B2
,2018-02-14
[8]
新規な化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6675159B2
,2020-04-01
[9]
新規な化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6948159B2
,2021-10-13
[10]
化合物、薄膜形成用原料、原子層堆積法用の薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6760822B2
,2020-09-23
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