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新規な化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20170107591
申请日
:
2017-05-31
公开(公告)号
:
JP6948159B2
公开(公告)日
:
2021-10-13
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C07F7/00
IPC分类号
:
C07F17/00
C23C16/18
H01L21/285
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
新規な化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6675159B2
,2020-04-01
[2]
化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7730762B2
,2025-08-28
[3]
化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7075891B2
,2022-05-26
[4]
化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6811514B2
,2021-01-13
[5]
銅化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6278827B2
,2018-02-14
[6]
新規化合物、該化合物を含有する薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7554763B2
,2024-09-20
[7]
金属化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006049059A1
,2008-05-29
[8]
金属化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2005063685A1
,2007-07-19
[9]
薄膜形成用原料、薄膜の製造方法及び新規なスカンジウム化合物[ja]
[P].
日本专利
:JP7573514B2
,2024-10-25
[10]
化合物、薄膜形成用原料、原子層堆積法用の薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6760822B2
,2020-09-23
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