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酸化物層付き基体とその製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20100511962
申请日
:
2009-05-08
公开(公告)号
:
JPWO2009139337A1
公开(公告)日
:
2011-09-22
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01B13/00
IPC分类号
:
B23K26/00
B23K26/36
H01B5/14
H01J9/02
H01J11/02
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
多層膜付き基板とその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2004038061A1
,2006-02-23
[2]
透明導電性酸化物膜付き基体の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012176899A1
,2015-02-23
[3]
酸化物層付き溶融めっき製品、その製造方法およびその応用[ja]
[P].
日本专利
:JP6903572B2
,2021-07-14
[4]
酸化物層付き溶融めっき製品、その製造方法およびその応用[ja]
[P].
日本专利
:JP2017522458A
,2017-08-10
[5]
透明導電性酸化物膜付き基体とその製造方法、および光電変換素子[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2003036657A1
,2005-02-17
[6]
酸化物積層体及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020067235A1
,2021-10-14
[7]
酸化物積層体及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7357883B2
,2023-10-10
[8]
配線付き基体形成用積層体、配線付き基体およびそれらの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2005031681A1
,2007-11-15
[9]
金属酸化物含有層の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5766191B2
,2015-08-19
[10]
酸化物超電導薄膜とその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5713440B2
,2015-05-07
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