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パターン形成方法、レジストパターン、及び、電子デバイスの製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20160551993
申请日
:
2015-09-28
公开(公告)号
:
JPWO2016052365A1
公开(公告)日
:
2017-07-20
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
G03F7/11
IPC分类号
:
C08F220/10
G03F7/004
G03F7/038
G03F7/039
G03F7/20
G03F7/32
H01L21/027
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
パターン形成方法、レジストパターン、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016017232A1
,2017-06-01
[2]
パターン形成方法、レジストパターン、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016136354A1
,2017-08-03
[3]
パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017029891A1
,2018-04-12
[4]
パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017002737A1
,2018-04-12
[5]
パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016035497A1
,2017-04-27
[6]
パターン形成方法及び電子デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016052178A1
,2017-05-25
[7]
ネガレジストパターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018008300A1
,2019-05-16
[8]
レジスト組成物、レジストパターンの形成方法、及び電子デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008111251A1
,2010-06-24
[9]
パターン形成方法、レジストパターン、電子デバイスの製造方法、及び上層膜形成用組成物[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016194613A1
,2018-03-15
[10]
上層膜形成用組成物、パターン形成方法、レジストパターン、及び、電子デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016157988A1
,2017-08-31
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