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上層膜形成用組成物、パターン形成方法、レジストパターン、及び、電子デバイスの製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20170509335
申请日
:
2016-02-02
公开(公告)号
:
JPWO2016157988A1
公开(公告)日
:
2017-08-31
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
G03F7/11
IPC分类号
:
G03F7/32
H01L21/027
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
パターン形成方法、レジストパターン、電子デバイスの製造方法、及び上層膜形成用組成物[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016194613A1
,2018-03-15
[2]
パターン形成方法、レジストパターン、電子デバイスの製造方法、及び、上層膜形成用組成物[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016158208A1
,2017-07-06
[3]
パターン形成方法、レジストパターン、及び、電子デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016052365A1
,2017-07-20
[4]
パターン形成方法、レジストパターン、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016017232A1
,2017-06-01
[5]
パターン形成方法、レジストパターン、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016136354A1
,2017-08-03
[6]
レジスト組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019216118A1
,2021-05-20
[7]
パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、積層膜及び上層膜形成用組成物[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017094860A1
,2018-10-18
[8]
レジスト組成物、レジストパターンの形成方法、及び電子デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008111251A1
,2010-06-24
[9]
レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019208761A1
,2021-05-13
[10]
レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014038680A1
,2016-08-12
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