シリコン半導体基板のエッチング方法、半導体装置の製造方法およびエッチング液[ja]

被引:0
申请号
JP20200522264
申请日
2019-05-29
公开(公告)号
JPWO2019230833A1
公开(公告)日
2021-06-24
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L21/306
IPC分类号
H01L21/308
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[2]
エッチング方法[ja] [P]. 
KOGA OSAMU .
日本专利 :JP2024017128A ,2024-02-08
[5]
ポリシリコンをエッチングするための方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025519682A ,2025-06-26
[6]
[7]
半導体基板の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2009014144A1 ,2010-10-07
[8]
シーケンシングチップ及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2022519177A ,2022-03-22