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シリコン半導体基板のエッチング方法、半導体装置の製造方法およびエッチング液[ja]
被引:0
申请号
:
JP20200522264
申请日
:
2019-05-29
公开(公告)号
:
JPWO2019230833A1
公开(公告)日
:
2021-06-24
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/306
IPC分类号
:
H01L21/308
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
シリコン系絶縁膜のエッチング後処理剤、半導体装置の製造方法および半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008114309A1
,2010-06-24
[2]
エッチング方法[ja]
[P].
KOGA OSAMU
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
TOPPAN HOLDINGS INC
TOPPAN HOLDINGS INC
KOGA OSAMU
.
日本专利
:JP2024017128A
,2024-02-08
[3]
エッチング液組成物、多層膜のエッチング方法、並びに表示装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2017537222A
,2017-12-14
[4]
酸化アルミニウム膜用のエッチング液と、当該エッチング液を用いた薄膜半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014171054A1
,2017-02-16
[5]
ポリシリコンをエッチングするための方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025519682A
,2025-06-26
[6]
半導体基板の洗浄方法、及び半導体基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014077370A1
,2017-01-05
[7]
半導体基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009014144A1
,2010-10-07
[8]
シーケンシングチップ及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2022519177A
,2022-03-22
[9]
半導体基板加工用粘着テープおよび半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6443590B1
,2018-12-26
[10]
半導体基板加工用粘着テープおよび半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018159418A1
,2019-03-14
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