半導体膜、酸化物微粒子分散液、半導体膜の製造方法、及び、薄膜トランジスタ[ja]

被引：0

申请号：

JP20130205194

申请日：

2013-09-30

公开(公告)号：

JP6275441B2

公开(公告)日：

2018-02-07

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

H01L21/336 H10K99/00

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共 50 条

[1]

酸化物半導体膜、トランジスタ、及び半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JP6305683B2 ,2018-04-04

[2]

トランジスタ用酸化物半導体膜の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6028961B2 ,2016-11-24

[3]

酸化物半導体の成膜方法及び薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7595246B2 ,2024-12-06

[4]

酸化物半導体膜及び酸化物半導体膜の作製方法[ja] [P].

YAMAZAKI SHUNPEI ;

TSUBUKI MASASHI ;

AKIMOTO KENGO ;

OHARA HIROKI ;

HONDA TATSUYA ;

KOMATA TAKASHI ;

NONAKA YUSUKE ;

TAKAHASHI MASAHIRO ;

MIYANAGA SHOJI .

日本专利 :JP2025072563A ,2025-05-09

[5]

酸化物半導体膜、積層体及び酸化物半導体膜の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7105703B2 ,2022-07-25

[6]

金属酸化物半導体膜の製造方法及び薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6195986B2 ,2017-09-13

[7]

有機半導体微粒子材料、有機半導体薄膜、有機半導体膜形成用分散液、有機半導体薄膜の製造方法および有機薄膜トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2012029544A1 ,2013-10-28

[8]

酸化物焼結体、酸化物半導体膜及び薄膜トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JP6305775B2 ,2018-04-04

[9]

酸化物半導体ターゲット、酸化物半導体膜及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014168224A1 ,2017-02-16

[10]

酸化物半導体ターゲット、酸化物半導体膜及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JP6341198B2 ,2018-06-13

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