窒化炭素、その製造方法、及び半導体材料[ja]

被引：0

申请号：

JP20190562891

申请日：

2018-11-30

公开(公告)号：

JPWO2019130983A1

公开(公告)日：

2020-12-10

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

C01B21/082

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共 50 条

[1]

窒化物半導体素子の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011058697A1 ,2013-03-28

[2]

化合物半導体及びその製造方法ならびに窒化物半導体[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018042792A1 ,2018-11-22

[3]

半導体構造及びその製造方法[ja] [P].

TAO LONG ;

LEE SPENCER RILEY ;

HUANG PIN-HAO ;

HUANG BAU-SHUN ;

CHEN ZE RUI .

日本专利 :JP2025076982A ,2025-05-16

[4]

半導体構造及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2023550855A ,2023-12-06

[5]

半導体素子及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2004112148A1 ,2006-07-20

[6]

半導体装置及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013125684A1 ,2015-07-30

[7]

半導体基板及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2016513356A ,2016-05-12

[8]

半導体装置及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2009153857A1 ,2011-11-24

[9]

半導体装置及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2008111188A1 ,2010-06-24

[10]

半導体装置及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019093206A1 ,2020-12-17

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