多接合デバイスの製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20210521523

申请日：

2019-10-18

公开(公告)号：

JP2022505477A

公开(公告)日：

2022-01-14

发明(设计)人：

申请人：

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IPC主分类号：

H10K99/00

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共 50 条

[1]

デバイス中間層を含む多接合光電子デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2022513818A ,2022-02-09

[2]

多接合光起電デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2020508570A ,2020-03-19

[3]

光デバイス及び光デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018037450A1 ,2019-04-18

[4]

半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

KAMIKAWA TAKESHI ;

TANIGUCHI YUKI ;

HAYASHI YUICHIRO ;

MISHIMA KOSUKE .

日本专利 :JP2025081377A ,2025-05-27

[5]

光変調デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2022551234A ,2022-12-08

[6]

デバイス基板及び半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2018519655A ,2018-07-19

[7]

電子デバイスの製造装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013162004A1 ,2015-12-24

[8]

発光デバイスおよび表示デバイス、発光デバイスの製造方法[ja] [P].

KAMIKAWA TAKESHI ;

TANIGUCHI YUKI ;

MURAKAWA KENTARO ;

KAWAGUCHI YOSHINOBU ;

MASAKI KATSUAKI ;

HAYASHI YUICHIRO .

日本专利 :JP2025081490A ,2025-05-27

[9]

多孔質体の製造方法、多孔質体、デバイスの製造方法、デバイス、配線構造の製造方法、配線構造[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016052473A1 ,2017-08-31

[10]

蒸着方法及びデバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025178248A ,2025-12-05

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