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半導体部品、半導体ウェハ部品、半導体部品の製造方法、及び、接合構造体の製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20110523550
申请日
:
2010-07-20
公开(公告)号
:
JPWO2011010450A1
公开(公告)日
:
2012-12-27
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/52
IPC分类号
:
B23K35/26
C22C12/00
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体装置、半導体装置の製造方法、及び接合材料[ja]
[P].
日本专利
:JP6345347B2
,2018-06-20
[2]
半導体装置、半導体装置の製造方法、及び接合材料[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016190205A1
,2017-10-05
[3]
半導体装置の製造方法および半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013171946A1
,2016-01-07
[4]
導電性接合材料及び半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6209666B1
,2017-10-04
[5]
半導体組立体の製造方法、冷却器、及び半導体組立体[ja]
[P].
GOTO KAZUHIKO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
FUJIKURA LTD
FUJIKURA LTD
GOTO KAZUHIKO
;
AIZAWA FUMITAKA
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
FUJIKURA LTD
FUJIKURA LTD
AIZAWA FUMITAKA
;
SAITO YUJI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
FUJIKURA LTD
FUJIKURA LTD
SAITO YUJI
.
日本专利
:JP2024115689A
,2024-08-27
[6]
半導体装置及び電力変換装置並びに半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018199259A1
,2019-11-07
[7]
接合材料並びに半導体装置及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5834739B2
,2015-12-24
[8]
接合構造体の製造方法および接合構造体[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011010738A1
,2013-01-07
[9]
半導体モジュールおよび半導体モジュールの製造方法[ja]
[P].
YAMASAKI MASANAO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE LTD
HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE LTD
YAMASAKI MASANAO
;
KOBAYASHI TOSHIYUKI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE LTD
HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE LTD
KOBAYASHI TOSHIYUKI
.
日本专利
:JP2024022800A
,2024-02-21
[10]
接合構造体と接合構造体の接合方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010125800A1
,2012-10-25
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