一种半导体处理装置及半导体处理方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202211658635.1
申请日
2022-12-22
公开(公告)号
CN118248579A
公开(公告)日
2024-06-25
发明(设计)人
王博洋 温子瑛
申请人
无锡华瑛微电子技术有限公司
申请人地址
214000 江苏省无锡市新区震泽路18号国家软件园3期鲸鱼座A栋1楼
IPC主分类号
H01L21/67
IPC分类号
H01L21/68 H01L21/683 H01L21/306
代理机构
苏州简理知识产权代理有限公司 32371
代理人
高泽民
法律状态
公开
国省代码
江苏省 无锡市
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共 50 条
[1]
半导体处理装置及半导体处理方法 [P]. 
吴凯文 ;
黄正义 ;
陈俊达 ;
谢锦升 .
中国专利 :CN113206027A ,2021-08-03
[2]
半导体处理装置、半导体处理系统和半导体边缘处理方法 [P]. 
温子瑛 .
中国专利 :CN114188265B ,2025-06-17
[3]
半导体处理装置、半导体处理系统和半导体边缘处理方法 [P]. 
温子瑛 .
中国专利 :CN114188265A ,2022-03-15
[4]
半导体处理设备及半导体处理方法 [P]. 
张丝柳 ;
顾立勋 .
中国专利 :CN110491805A ,2019-11-22
[5]
半导体处理装置及处理半导体晶圆的方法 [P]. 
罗兴安 .
中国专利 :CN103871815A ,2014-06-18
[6]
半导体结构的处理方法、半导体结构及半导体处理装置 [P]. 
陈超 ;
邓璟雯 ;
饶建成 ;
黄振华 .
中国专利 :CN119497382A ,2025-02-21
[7]
半导体结构的处理方法、半导体结构及半导体处理装置 [P]. 
陈超 ;
邓璟雯 ;
饶建成 ;
黄振华 .
中国专利 :CN119497382B ,2025-11-11
[8]
半导体基板装置、半导体处理方法以及半导体处理装置 [P]. 
金昶振 .
韩国专利 :CN117936518A ,2024-04-26
[9]
半导体处理装置及其半导体处理方法 [P]. 
温子瑛 ;
马杰 .
中国专利 :CN120021003A ,2025-05-20
[10]
半导体处理装置及方法 [P]. 
温子瑛 ;
王致凯 .
中国专利 :CN106783669B ,2017-05-31