基于二维光子晶体慢光波导的薄膜铌酸锂电光调制器及其实现方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410997649.9

申请日：

2024-07-24

公开(公告)号：

CN118707760A

公开(公告)日：

2024-09-27

发明(设计)人：

张永韩晴晴何宇苏翼凯

申请人：

上海交通大学

申请人地址：

200240 上海市闵行区东川路800号

IPC主分类号：

G02F1/035

IPC分类号：

G02F1/00 G02B6/122

代理机构：

上海交达专利事务所 31201

代理人：

王毓理;王锡麟

法律状态：

公开

国省代码：

上海市市辖区

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-09-27	公开	公开
2024-10-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G02F 1/035申请日:20240724

共 50 条

[1]

基于拓扑慢光波导的薄膜铌酸锂电光调制器 [P].

张永 ;

沈健 ;

张磊 ;

苏翼凯 .

中国专利 :CN117031851B ,2025-08-08

[2]

一种基于光子晶体慢光波导的薄膜铌酸锂电光调制器 [P].

陈冠宇 ;

李春德 ;

张富 ;

余华 .

中国专利 :CN120630515A ,2025-09-12

[3]

薄膜铌酸锂电光调制器及其制造方法 [P].

薛海韵 ;

张宇强 .

中国专利 :CN119002103A ,2024-11-22

[4]

基于慢波电极的薄膜铌酸锂电光调制器及制备方法 [P].

殷祥 ;

陈伟 ;

张建军 ;

鞠兵 ;

陈朋鑫 .

中国专利 :CN118068598B ,2024-09-10

[5]

基于慢波电极的薄膜铌酸锂电光调制器及制备方法 [P].

殷祥 ;

陈伟 ;

张建军 ;

鞠兵 ;

陈朋鑫 .

中国专利 :CN118068598A ,2024-05-24

[6]

一种薄膜铌酸锂电光调制器及其制备方法 [P].

梁华湛 ;

林树青 ;

张仙 ;

胡胜群 ;

吴家威 ;

余思远 .

中国专利 :CN120686492A ,2025-09-23

[7]

基于铌酸锂薄膜的光子晶体微环调制器芯片 [P].

李贝 ;

刘国栋 ;

曹军 ;

宋杰 ;

杨峰峰 .

中国专利 :CN111897146A ,2020-11-06

[8]

一种薄膜铌酸锂电光调制器 [P].

余华 ;

刘玉山 ;

陈冠宇 ;

李春德 .

中国专利 :CN119805796B ,2025-10-17

[9]

一种薄膜铌酸锂电光调制器 [P].

朱赟 .

中国专利 :CN221782532U ,2024-09-27

[10]

一种薄膜铌酸锂电光调制器 [P].

余华 ;

刘玉山 ;

陈冠宇 ;

李春德 .

中国专利 :CN119805796A ,2025-04-11

← 1 2 3 4 5 →