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一种基于光子晶体慢光波导的薄膜铌酸锂电光调制器

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510958076.3
申请日：
2025-07-11
公开(公告)号：
CN120630515A
公开(公告)日：
2025-09-12
发明(设计)人：
陈冠宇 李春德 张富 余华
申请人：
重庆大学
申请人地址：
400030 重庆市沙坪坝区沙正街174号
IPC主分类号：
G02F1/03
IPC分类号：
G02F1/035
代理机构：
重庆青飞知识产权代理有限公司 50283
代理人：
陈良锋
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
重庆市 市辖区
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-09-30 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):G02F 1/03申请日:20250711
2025-09-12 公开 公开
共 50 条
[1]
基于拓扑慢光波导的薄膜铌酸锂电光调制器 [P]. 
张永 ;
沈健 ;
张磊 ;
苏翼凯 .
中国专利 :CN117031851B ,2025-08-08
[2]
基于二维光子晶体慢光波导的薄膜铌酸锂电光调制器及其实现方法 [P]. 
张永 ;
韩晴晴 ;
何宇 ;
苏翼凯 .
中国专利 :CN118707760A ,2024-09-27
[3]
一种薄膜铌酸锂电光调制器 [P]. 
余华 ;
刘玉山 ;
陈冠宇 ;
李春德 .
中国专利 :CN119805796B ,2025-10-17
[4]
一种薄膜铌酸锂电光调制器 [P]. 
余华 ;
刘玉山 ;
陈冠宇 ;
李春德 .
中国专利 :CN119805796A ,2025-04-11
[5]
一种薄膜铌酸锂电光调制器 [P]. 
朱赟 .
中国专利 :CN221782532U ,2024-09-27
[6]
一种薄膜铌酸锂电光调制器 [P]. 
朱赟 .
中国专利 :CN119087705A ,2024-12-06
[7]
一种刻穿波导的薄膜铌酸锂电光调制器 [P]. 
宋树祥 ;
钟闯洋 ;
陈光润 ;
杨军 ;
杨博雄 ;
韦宗波 ;
马文凯 .
中国专利 :CN120669441A ,2025-09-19
[8]
基于慢波电极的薄膜铌酸锂电光调制器及制备方法 [P]. 
殷祥 ;
陈伟 ;
张建军 ;
鞠兵 ;
陈朋鑫 .
中国专利 :CN118068598B ,2024-09-10
[9]
基于慢波电极的薄膜铌酸锂电光调制器及制备方法 [P]. 
殷祥 ;
陈伟 ;
张建军 ;
鞠兵 ;
陈朋鑫 .
中国专利 :CN118068598A ,2024-05-24
[10]
一种薄膜铌酸锂电光调制器的制备方法及电光调制器 [P]. 
张岚 ;
潘振辉 ;
许明 .
中国专利 :CN119270535A ,2025-01-07
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