晶体生长装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211040308.X

申请日：

2022-08-29

公开(公告)号：

CN115386950B

公开(公告)日：

2024-08-02

发明(设计)人：

陈泽斌张洁廖弘基陈华荣

申请人：

湖南三安半导体有限责任公司

申请人地址：

410000 湖南省长沙市高新开发区长兴路399号

IPC主分类号：

C30B23/00

IPC分类号：

C30B29/36

代理机构：

北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463

代理人：

刘曾

法律状态：

授权

国省代码：

河北省石家庄市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-08-02	授权	授权

共 50 条

[1]

晶体生长装置 [P].

陈泽斌 ;

张洁 ;

廖弘基 ;

陈华荣 .

中国专利 :CN115386950A ,2022-11-25

[2]

晶体生长炉 [P].

吴周礼 .

中国专利 :CN110408987A ,2019-11-05

[3]

碳化硅晶体生长装置及系统 [P].

周荣国 ;

邹路 ;

刘鹏 .

中国专利 :CN218089882U ,2022-12-20

[4]

一种碳化硅晶体生长装置及晶体生长方法 [P].

请求不公布姓名 ;

袁振洲 ;

刘欣宇 .

中国专利 :CN120138808A ,2025-06-13

[5]

碳化硅晶体生长装置、系统及方法 [P].

周荣国 ;

邹路 ;

刘鹏 .

中国专利 :CN115182038B ,2025-06-17

[6]

碳化硅晶体生长装置 [P].

洪棋典 ;

张洁 ;

廖弘基 ;

杨树 .

中国专利 :CN215593238U ,2022-01-21

[7]

晶体生长装置 [P].

秦皓然 ;

蔡文必 .

中国专利 :CN216786307U ,2022-06-21

[8]

过滤装置和晶体生长设备 [P].

王友芳 ;

张洁 .

中国专利 :CN220918518U ,2024-05-10

[9]

碳化硅晶体生长装置 [P].

杨树 ;

张洁 .

中国专利 :CN221071723U ,2024-06-04

[10]

晶体生长装置 [P].

刘晨 .

中国专利 :CN120797206A ,2025-10-17

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