用于CMP温度控制的装置及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080001434.7

申请日：

2020-02-19

公开(公告)号：

CN111836700B

公开(公告)日：

2024-07-09

发明(设计)人：

S-S·张 H·桑达拉拉贾恩吴昊晟唐建设

申请人：

应用材料公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

B24B37/10

IPC分类号：

B24B37/20

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

侯颖媖;张鑫

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-07-09	授权	授权

共 50 条

[1]

用于CMP温度控制的装置及方法 [P].

S-S·张 ;

H·桑达拉拉贾恩 ;

吴昊晟 ;

唐建设 .

美国专利 :CN118636051A ,2024-09-13

[2]

用于CMP温度控制的装置及方法 [P].

S-S·张 ;

H·桑达拉拉贾恩 ;

吴昊晟 ;

唐建设 .

中国专利 :CN111836700A ,2020-10-27

[3]

用于CMP温度控制的设备和方法 [P].

S·库玛 ;

H·桑达拉拉贾恩 ;

陈辉 ;

张寿松 .

中国专利 :CN115461193A ,2022-12-09

[4]

CMP温度控制系统的清洁 [P].

吴昊晟 ;

张寿松 ;

唐建设 ;

J·P·多明 ;

S·达塔 ;

窟康浩 ;

S·德什潘德 ;

C·波拉德 ;

叶思伶 ;

P·迪普 ;

崔凝卓 ;

B·J·布朗 ;

陈辉 .

美国专利 :CN119522151A ,2025-02-25

[5]

CMP中的温度和浆体流动速率控制 [P].

吴昊晟 ;

唐建设 ;

B·J·布朗 ;

S-H·沈 ;

张寿松 ;

H·桑达拉拉贾恩 .

中国专利 :CN115103738A ,2022-09-23

[6]

化学机械抛光的温度控制 [P].

H·桑达拉拉贾恩 ;

S-S·常 ;

H·吴 ;

J·唐 ;

吴政勋 ;

R·巴贾杰 ;

A·锡尔迪亚 .

美国专利 :CN111512425B ,2025-05-30

[7]

化学机械抛光的温度控制 [P].

H·桑达拉拉贾恩 ;

S-S·常 ;

H·吴 ;

J·唐 ;

吴政勋 ;

R·巴贾杰 ;

A·锡尔迪亚 .

美国专利 :CN120307185A ,2025-07-15

[8]

化学机械抛光的温度控制 [P].

H·桑达拉拉贾恩 ;

S-S·常 ;

H·吴 ;

J·唐 ;

吴政勋 ;

R·巴贾杰 ;

A·锡尔迪亚 .

中国专利 :CN111512425A ,2020-08-07

[9]

CMP期间基于温度的原位边缘不对称校正 [P].

吴昊晟 ;

张寿松 ;

唐建设 ;

C·郑 ;

H·陈 ;

H·桑达拉拉贾恩 ;

B·切里安 .

中国专利 :CN113874165A ,2021-12-31

[10]

用于CMP垫调节的方法和装置 [P].

叶修铭 ;

巫丰印 .

中国专利 :CN102975120A ,2013-03-20

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