一种具有负光电导效应的有机光敏型场效应晶体管的制备方法及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410350624.X

申请日：

2024-03-26

公开(公告)号：

CN118234262A

公开(公告)日：

2024-06-21

发明(设计)人：

龚宇睿凌海峰潘帅闻王乐王一如邵赫黄维

申请人：

南京邮电大学

申请人地址：

210046 江苏省南京市鼓楼区新模范马路66号

IPC主分类号：

H10K30/65

IPC分类号：

H10K85/60 H10K85/10 H10K71/00

代理机构：

南京正联知识产权代理有限公司 32243

代理人：

姜梦翔

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省南京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-07-09	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10K 30/65申请日:20240326
2024-06-21	公开	公开

共 50 条

[1]

一种动态可重构有机光敏型场效应晶体管及其制造方法 [P].

王乐 ;

凌海峰 ;

潘帅闻 ;

吕振烨 ;

张馨月 ;

李艳飞 ;

黄维 .

中国专利 :CN120456719A ,2025-08-08

[2]

场效应晶体管制备方法及场效应晶体管 [P].

卢年端 ;

揣喜臣 ;

杨冠华 ;

李泠 ;

耿玓 ;

刘明 .

中国专利 :CN110061063A ,2019-07-26

[3]

场效应晶体管制备方法及场效应晶体管 [P].

揣喜臣 ;

卢年端 ;

杨冠华 ;

李泠 ;

耿玓 ;

刘明 .

中国专利 :CN110112073A ,2019-08-09

[4]

场效应晶体管的制备方法及利用其制备的场效应晶体管 [P].

黄永安 ;

江海霞 ;

丁亚江 .

中国专利 :CN105742500B ,2016-07-06

[5]

场效应晶体管和制造场效应晶体管的方法 [P].

椿茂树 .

中国专利 :CN1819270A ,2006-08-16

[6]

场效应晶体管的制造方法及其形成的场效应晶体管 [P].

翁文寅 .

中国专利 :CN114068410A ,2022-02-18

[7]

场效应晶体管及场效应晶体管的制造方法 [P].

B·J·帕夫拉克 .

中国专利 :CN1934686B ,2007-03-21

[8]

场效应晶体管及形成场效应晶体管的方法 [P].

A·库马尔 .

中国专利 :CN101436612A ,2009-05-20

[9]

具有光电导效应的石墨烯场效应晶体管以及红外探测器 [P].

周鹏 ;

孙清清 ;

吴东平 ;

张卫 .

中国专利 :CN102185004A ,2011-09-14

[10]

场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN106158665A ,2016-11-23

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