一种MEMS器件真空封装方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311047725.1

申请日：

2023-08-18

公开(公告)号：

CN117049470B

公开(公告)日：

2024-06-18

发明(设计)人：

赵婷

申请人：

北京中科格励微科技有限公司

申请人地址：

100190 北京市海淀区中关村南一条甲1号中科爱克大厦10层

IPC主分类号：

B81C1/00

IPC分类号：

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

贾磊;许曼

法律状态：

授权

国省代码：

北京市市辖区

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-18	授权	授权

共 50 条

[1]

一种MEMS器件的真空封装方法及MEMS器件 [P].

鞠莉娜 ;

蒋鹏 ;

徐彤 ;

王子 ;

梁光顺 .

中国专利 :CN120622405A ,2025-09-12

[2]

一种MEMS器件真空封装方法 [P].

金玉丰 ;

张杨飞 ;

缪旻 ;

白树林 .

中国专利 :CN101301993A ,2008-11-12

[3]

MEMS器件的真空封装结构和真空封装方法 [P].

刘炼 ;

郑超 .

中国专利 :CN105084292A ,2015-11-25

[4]

一种不同真空度封装的MEMS圆片级真空封装方法 [P].

王帆 ;

宋东方 ;

王得收 ;

喻磊 ;

周魁 .

中国专利 :CN112265956A ,2021-01-26

[5]

一种MEMS器件圆片级真空封装方法 [P].

李男男 ;

胡启方 ;

刘福民 ;

邢朝洋 ;

庄海涵 ;

徐宇新 ;

王学亚 ;

孙俊强 .

中国专利 :CN108083226B ,2018-05-29

[6]

MEMS器件真空封装结构 [P].

焦继伟 ;

王敏昌 ;

颜培力 ;

秦嵩 .

中国专利 :CN103879950B ,2014-06-25

[7]

一种集成晶圆级真空封装的MEMS器件及其制造方法 [P].

周志健 ;

董靓 ;

陈永康 ;

刘政谚 ;

许国辉 ;

邝国华 ;

冯良 ;

杨恒 ;

李昕欣 .

中国专利 :CN103350983A ,2013-10-16

[8]

一种晶圆级MEMS器件的真空封装结构及封装方法 [P].

张昕 ;

欧文 ;

明安杰 ;

谭振新 ;

赵敏 ;

罗九斌 ;

顾强 .

中国专利 :CN102583219A ,2012-07-18

[9]

MEMS器件真空封装结构及其制造工艺 [P].

邢维巍 ;

姚远 ;

樊尚春 .

中国专利 :CN113044802A ,2021-06-29

[10]

MEMS器件圆片级真空封装方法 [P].

徐永青 ;

杨拥军 ;

胥超 ;

罗蓉 .

中国专利 :CN101780942B ,2010-07-21

← 1 2 3 4 5 →