一种超薄存储芯片三维堆叠器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410470463.8

申请日：

2024-04-18

公开(公告)号：

CN118471963A

公开(公告)日：

2024-08-09

发明(设计)人：

李孟鑫戴风伟丁飞金仁喜杨宇东张宇王启东

申请人：

中国科学院微电子研究所

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L25/065

IPC分类号：

H01L25/16 H10B80/00

代理机构：

北京天达知识产权代理事务所有限公司 11386

代理人：

张同玲

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-08-27	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 25/065申请日:20240418
2024-08-09	公开	公开

共 50 条

[1]

三维堆叠存储芯片 [P].

李晓骏 ;

任奇伟 ;

王嵩 .

中国专利 :CN114823616B ,2025-03-25

[2]

三维堆叠存储芯片 [P].

李晓骏 ;

任奇伟 ;

王嵩 .

中国专利 :CN114823616A ,2022-07-29

[3]

三维堆叠存储芯片的测试方法及三维堆叠存储芯片 [P].

白亮 .

中国专利 :CN114882932A ,2022-08-09

[4]

三维堆叠存储芯片的测试方法及三维堆叠存储芯片 [P].

白亮 .

中国专利 :CN114882932B ,2025-09-23

[5]

三维堆叠存储芯片模块 [P].

李晓骏 ;

任奇伟 ;

王嵩 .

中国专利 :CN214176036U ,2021-09-10

[6]

一种三维堆叠存储芯片模块 [P].

刘伯阳 .

中国专利 :CN216311759U ,2022-04-15

[7]

一种三维堆叠存储芯片结构及其封装方法 [P].

姚大平 .

中国专利 :CN111106123A ,2020-05-05

[8]

三维电阻转换存储芯片制备方法 [P].

刘旭焱 ;

张挺 ;

刘卫丽 ;

宋志棠 ;

杜小峰 ;

顾怡峰 ;

成岩 .

中国专利 :CN102122636B ,2011-07-13

[9]

三维堆叠存储芯片及其控制方法、电子设备 [P].

白亮 .

中国专利 :CN115019871A ,2022-09-06

[10]

一种三维集成芯片及其制备方法 [P].

冯俊伟 .

中国专利 :CN120109024A ,2025-06-06

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