半導体装置の製造方法および半導体装置[ja]

被引：0

申请号：

JP20220162340

申请日：

2022-10-07

公开(公告)号：

JP2024055418A

公开(公告)日：

2024-04-18

发明(设计)人：

MINAMI KAZUHIKO HIRANO TOMOYA NAKAKO TAKEO ISHIKAWA MASARU

申请人：

RESONAC HOLDINGS CORP

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L23/40

IPC分类号：

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共 50 条

[21]

接合用銅ペースト、接合体の製造方法及び半導体装置の製造方法[ja] [P].

ISHIKAWA MASARU ;

KAWANA YUKI ;

SUGAMA CHIE ;

NAKAKO TAKEO ;

EJIRI YOSHINORI ;

KURABUCHI KAZUHIKO .

日本专利 :JP2022130365A ,2022-09-06

[22]

接合用銅ペースト、接合体の製造方法及び半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2022180400A ,2022-12-06

[23]

接合用銅ペースト、接合体の製造方法及び半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017043541A1 ,2018-07-05

[24]

半導体パッケージ、半導体パッケージの製造方法、およびそれに用いる熱伝導性組成物[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020189446A1 ,2021-09-13

[25]

窒化ガリウム系半導体基板と窒化ガリウム系半導体基板の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2005041283A1 ,2007-04-26

[26]

接合体及び半導体装置の製造方法、並びに接合用銅ペースト[ja] [P].

KAWANA YUKI ;

NAKAKO TAKEO ;

NEGISHI MOTOHIRO ;

SUGAMA CHIE ;

EJIRI YOSHINORI ;

YANAKA YUICHI .

日本专利 :JP2024010136A ,2024-01-23

[27]

接合体及び半導体装置の製造方法、並びに接合用銅ペースト[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020110271A1 ,2021-10-21

[28]

半導体素子の接合方法及び半導体素子接合用シート状積層緩衝材[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016159070A1 ,2017-06-22

[29]

導体層の製造方法及び配線基板[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016111133A1 ,2017-08-17

[30]

接合用金属ペースト、接合体及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018168187A1 ,2020-01-16

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