ルテニウム含有薄膜の製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20220101063

申请日：

2022-06-23

公开(公告)号：

JP2024002081A

公开(公告)日：

2024-01-11

发明(设计)人：

YAMAMOTO ARINORI HAYAKAWA TEPPEI EBIHARA RYOSUKE

申请人：

TOSOH CORP

申请人地址：

IPC主分类号：

C07F17/02

IPC分类号：

C23C16/18 H01L21/285

代理机构：

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法律状态信息

共 50 条

[1]

ルテニウム含有薄膜の製造方法およびこれにより製造されたルテニウム含有薄膜[ja] [P].

日本专利 :JP2021502492A ,2021-01-28

[2]

ルテニウム錯体の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017056916A1 ,2018-07-19

[3]

化学蒸着法によるルテニウム薄膜又はルテニウム化合物薄膜の製造方法及びルテニウム薄膜又はルテニウム化合物薄膜[ja] [P].

KIM SOO-HYUN ;

KOTSUGI YOHEI .

日本专利 :JP2023178560A ,2023-12-18

[4]

ルテニウム含有化合物及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5751177B2 ,2015-07-22

[5]

ルテニウム酸化物およびルテニウム酸化物の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017138643A1 ,2018-12-06

[6]

窒化アルミニウム含有物の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2006103930A1 ,2008-09-04

[7]

ルテニウム化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6429352B1 ,2018-11-28

[8]

ルテニウム化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6509128B2 ,2019-05-08

[9]

ルテニウム化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015093177A1 ,2017-03-16

[10]

ルテニウム化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019097768A1 ,2019-11-21

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