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研磨用砥粒分散液およびその製造方法、並びに、半導体の研磨方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20230099128
申请日
:
2023-06-16
公开(公告)号
:
JP2024052507A
公开(公告)日
:
2024-04-11
发明(设计)人
:
NAKAYAMA KAZUHIRO
USUDA MASAYA
MURAGUCHI MAKOTO
HIRAI TOSHIHARU
申请人
:
JGC CATALYSTS & CHEMICALS LTD
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C09K3/14
IPC分类号
:
B24B37/00
C01B33/143
C09G1/02
H01L21/304
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
研磨用砥粒分散液およびその製造方法、並びに、半導体の研磨方法[ja]
[P].
NAKAYAMA KAZUHIRO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
JGC CATALYSTS & CHEMICALS LTD
JGC CATALYSTS & CHEMICALS LTD
NAKAYAMA KAZUHIRO
;
USUDA MASAYA
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
JGC CATALYSTS & CHEMICALS LTD
JGC CATALYSTS & CHEMICALS LTD
USUDA MASAYA
.
日本专利
:JP2024130083A
,2024-09-30
[2]
粒子連結型シリカ微粒子分散液およびその製造方法、並びに研磨用砥粒分散液[ja]
[P].
日本专利
:JP7455623B2
,2024-03-26
[3]
研磨用組成物およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019087818A1
,2020-12-17
[4]
研磨液、分散体、研磨液の製造方法及び研磨方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020246471A1
,2021-12-09
[5]
半導体基板の研磨液及び研磨方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025152726A
,2025-10-10
[6]
CMP研磨液、並びに、これを用いた研磨方法及び半導体基板の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011058816A1
,2013-03-28
[7]
研磨用組成物、および半導体ウェハの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015102101A1
,2017-03-23
[8]
半導体基板用研磨液及び半導体基板の研磨方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010122985A1
,2012-10-25
[9]
有機無機複合微粒子分散液およびその製造方法、並びに砥粒分散液[ja]
[P].
日本专利
:JP7712827B2
,2025-07-24
[10]
半導体装置およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011121738A1
,2013-07-04
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