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半导体器件的制备方法和半导体器件
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411113932.7
申请日：
2024-08-14
公开(公告)号：
CN119028912A
公开(公告)日：
2024-11-26
发明(设计)人：
朱宁炳
李宙相
金成哲
罗珉权
金学云
申请人：
成都高真科技有限公司
申请人地址：
610000 四川省成都市高新区科新路8号附19号
IPC主分类号：
H01L21/82
IPC分类号：
H01L21/8234
H01L21/308
H01L21/311
代理机构：
北京辰权知识产权代理有限公司 11619
代理人：
张鹏
法律状态：
公开
国省代码：
江苏省
常州市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-11-26 | 公开 | 公开 |
| 2024-12-13 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/82申请日:20240814 |