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碳化硅外延生长承载装置
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN202420642548.5
申请日
:
2024-03-29
公开(公告)号
:
CN222119469U
公开(公告)日
:
2024-12-06
发明(设计)人
:
高伟
韩景瑞
丁雄傑
扆书樵
李锡光
申请人
:
广东天域半导体股份有限公司
申请人地址
:
523000 广东省东莞市松山湖北部工业城工业北一路5号二楼办公楼
IPC主分类号
:
C30B25/12
IPC分类号
:
C30B29/36
C23C16/458
代理机构
:
广州三环专利商标代理有限公司 44202
代理人
:
陈进芳
法律状态
:
授权
国省代码
:
广东省 东莞市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-12-06
授权
授权
共 50 条
[41]
碳化硅外延衬底
[P].
堀勉
论文数:
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堀勉
;
伊东洋典
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伊东洋典
.
中国专利
:CN208266305U
,2018-12-21
[42]
碳化硅外延设备
[P].
刘永明
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机构:
蓝河科技(绍兴)有限公司
蓝河科技(绍兴)有限公司
刘永明
;
王东兴
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机构:
蓝河科技(绍兴)有限公司
蓝河科技(绍兴)有限公司
王东兴
;
周慧娟
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机构:
蓝河科技(绍兴)有限公司
蓝河科技(绍兴)有限公司
周慧娟
.
中国专利
:CN120649150B
,2025-10-28
[43]
碳化硅外延衬底
[P].
堀勉
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堀勉
;
伊东洋典
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伊东洋典
.
中国专利
:CN207091557U
,2018-03-13
[44]
碳化硅外延
[P].
P·阔德
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P·阔德
.
中国专利
:CN103946953A
,2014-07-23
[45]
碳化硅外延片的生长工艺
[P].
冯禹
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机构:
广东天域半导体股份有限公司
广东天域半导体股份有限公司
冯禹
;
丁雄傑
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机构:
广东天域半导体股份有限公司
广东天域半导体股份有限公司
丁雄傑
;
韩景瑞
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机构:
广东天域半导体股份有限公司
广东天域半导体股份有限公司
韩景瑞
;
鲍勇年
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机构:
广东天域半导体股份有限公司
广东天域半导体股份有限公司
鲍勇年
;
李锡光
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机构:
广东天域半导体股份有限公司
广东天域半导体股份有限公司
李锡光
.
中国专利
:CN118256991A
,2024-06-28
[46]
一种碳化硅外延生长的喷淋装置及碳化硅生长工艺方法
[P].
鞠涛
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鞠涛
;
张立国
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张立国
;
李哲
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李哲
;
范亚明
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范亚明
;
张泽洪
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张泽洪
;
张宝顺
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张宝顺
.
中国专利
:CN106350864A
,2017-01-25
[47]
用于碳化硅衬底的外延生长室
[P].
曾泽斌
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机构:
曾泽斌
曾泽斌
曾泽斌
.
中国专利
:CN119465391A
,2025-02-18
[48]
一种碳化硅外延生长设备
[P].
毛瑞川
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机构:
南京晶升装备股份有限公司
南京晶升装备股份有限公司
毛瑞川
;
李辉
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机构:
南京晶升装备股份有限公司
南京晶升装备股份有限公司
李辉
;
丁柏松
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机构:
南京晶升装备股份有限公司
南京晶升装备股份有限公司
丁柏松
;
陆友峰
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机构:
南京晶升装备股份有限公司
南京晶升装备股份有限公司
陆友峰
;
孙国峰
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机构:
南京晶升装备股份有限公司
南京晶升装备股份有限公司
孙国峰
.
中国专利
:CN118639325A
,2024-09-13
[49]
碳化硅外延
[P].
P·阔德
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P·阔德
.
中国专利
:CN107452784A
,2017-12-08
[50]
用于碳化硅外延的加热装置
[P].
傅林坚
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傅林坚
;
沈文杰
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沈文杰
;
周建灿
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周建灿
;
邵鹏飞
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邵鹏飞
;
汤承伟
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汤承伟
;
周航
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周航
;
潘礼钱
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潘礼钱
.
中国专利
:CN210765582U
,2020-06-16
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