具有纳米结构化光提取层的发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202280039306.0

申请日：

2022-03-23

公开(公告)号：

CN117501464B

公开(公告)日：

2024-11-19

发明(设计)人：

T·洛佩兹 A·阿巴斯

申请人：

亮锐有限责任公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L33/58

IPC分类号：

H01L33/42 H01L33/38

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

李静岚;陈晓

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-19	授权	授权
2024-02-23	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/58申请日:20220323
2024-02-02	公开	公开

共 50 条

[1]

具有纳米结构化光提取层的发光器件 [P].

T·洛佩兹 ;

A·阿巴斯 .

美国专利 :CN117501464A ,2024-02-02

[2]

具有光提取结构的半导体发光器件 [P].

A·J·F·戴维 ;

H·K-H·蔡 ;

J·J·韦勒 .

中国专利 :CN101904019B ,2010-12-01

[3]

具有纳米结构化发光层的发光太阳能集中器 [P].

D.K.G.德博尔 ;

J.戈梅兹里瓦斯 ;

S.拉希姆扎德卡拉勒罗德里古伊兹 ;

S.L.迪伊登霍芬 .

中国专利 :CN103999241B ,2014-08-20

[4]

具有钝化层的半导体发光器件 [P].

江风益 ;

刘军林 ;

王立 .

中国专利 :CN102067346A ,2011-05-18

[5]

纳米结构半导体发光器件 [P].

徐软瑀 ;

金定燮 ;

崔荣进 ;

丹尼斯·桑尼科夫 ;

成汉珪 ;

千大明 ;

许在赫 .

中国专利 :CN105765741A ,2016-07-13

[6]

制造纳米结构半导体发光器件的方法 [P].

车南求 ;

柳建旭 ;

成汉珪 .

中国专利 :CN105009309B ,2015-10-28

[7]

具有硅胶保护层的半导体发光器件 [P].

江风益 ;

刘军林 ;

王立 .

中国专利 :CN102067337A ,2011-05-18

[8]

使用纳米结构化涂层的OLED的光提取 [P].

大卫·尤金·贝克 ;

李流 ;

帕梅拉·阿琳·玛瑞伊 ;

罗伯特·亚当·莫达维斯 ;

丹尼尔·阿洛伊修斯·诺兰 ;

瓦格萨·西那拉特内 .

中国专利 :CN108474875B ,2018-08-31

[9]

具有集成电子元器件的半导体发光器件 [P].

J·C·巴特 ;

S·T·博尔斯 .

中国专利 :CN101427376A ,2009-05-06

[10]

具有超晶格结构有源层的发光器件 [P].

苏喜林 ;

谢春林 ;

胡红坡 ;

张旺 .

中国专利 :CN102315341A ,2012-01-11

← 1 2 3 4 5 →