等离子体蚀刻方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910550373.9
申请日
2019-06-24
公开(公告)号
CN110634738B
公开(公告)日
2024-11-05
发明(设计)人
海尤玛·阿什拉夫 凯文·里德尔 亚历克斯·伍德
申请人
SPTS科技有限公司
申请人地址
英国新港
IPC主分类号
H01L21/3065
IPC分类号
H01L21/308 H01L21/02
代理机构
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
代理人
章蕾
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
等离子体蚀刻方法 [P]. 
海尤玛·阿什拉夫 ;
凯文·里德尔 ;
亚历克斯·伍德 .
中国专利 :CN110634738A ,2019-12-31
[2]
等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻系统 [P]. 
齐藤英树 ;
松井久 ;
宇贺神肇 .
中国专利 :CN107731681B ,2018-02-23
[3]
等离子体蚀刻方法及等离子体蚀刻装置 [P]. 
广瀬久 .
中国专利 :CN100426473C ,2006-06-21
[4]
等离子体蚀刻的方法 [P]. 
H·阿什拉夫 ;
K·里德尔 ;
C·普拉霍韦亚努 .
中国专利 :CN113097378A ,2021-07-09
[5]
等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置、等离子体处理方法及等离子体处理装置 [P]. 
森口尚树 .
中国专利 :CN105103274A ,2015-11-25
[6]
等离子体蚀刻方法 [P]. 
村上彰一 ;
池本尚弥 .
中国专利 :CN103828028B ,2014-05-28
[7]
等离子体蚀刻方法 [P]. 
小林典之 .
中国专利 :CN100367469C ,2005-07-20
[8]
等离子体蚀刻方法 [P]. 
樱井隆觉 .
中国专利 :CN108701613A ,2018-10-23
[9]
等离子体蚀刻方法 [P]. 
永关一也 ;
三村高范 ;
宫岛弘树 .
中国专利 :CN1602542A ,2005-03-30
[10]
等离子体蚀刻方法 [P]. 
乾裕俊 .
中国专利 :CN107112233A ,2017-08-29