发明(设计)人:
海尤玛·阿什拉夫
凯文·里德尔
亚历克斯·伍德
IPC分类号:
H01L21/308
H01L21/02
代理机构:
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
共 50 条
[1]
等离子体蚀刻方法
[P].
中国专利 :CN110634738A ,2019-12-31 [4]
等离子体蚀刻的方法
[P].
中国专利 :CN113097378A ,2021-07-09 [6]
等离子体蚀刻方法
[P].
中国专利 :CN103828028B ,2014-05-28 [7]
等离子体蚀刻方法
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中国专利 :CN100367469C ,2005-07-20 [8]
等离子体蚀刻方法
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中国专利 :CN108701613A ,2018-10-23 [9]
等离子体蚀刻方法
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中国专利 :CN1602542A ,2005-03-30 [10]
等离子体蚀刻方法
[P].
中国专利 :CN107112233A ,2017-08-29